芯片制造商正在使用比以往更多并且不同的傳統(tǒng)工具來(lái)發(fā)現(xiàn)先進(jìn)芯片中的致命缺陷，但他們也轉(zhuǎn)向使用先進(jìn)的機(jī)器學(xué)習(xí)等輔助方法來(lái)幫助解決問(wèn)題。
人工智能 （AI）的一個(gè)分支— 機(jī)器學(xué)習(xí)已經(jīng)在計(jì)算和其他領(lǐng)域使用了幾十年。 實(shí)際上，自20世紀(jì)90年代以來(lái)，早期的機(jī)器學(xué)習(xí)形式已被用于晶圓廠的計(jì)量和檢測(cè)，以查明芯片中的缺陷，甚至使用模式匹配技術(shù)來(lái)預(yù)測(cè)問(wèn)題。 機(jī)器學(xué)習(xí)本身不是工具或設(shè)備類型，而是系統(tǒng)用來(lái)幫助發(fā)現(xiàn)缺陷的一組軟件算法。 現(xiàn)在，業(yè)界正在探索或開(kāi)始使用基于更大數(shù)據(jù)集的，更先進(jìn)的機(jī)器學(xué)習(xí)算法的系統(tǒng)。 同時(shí)，這也可能會(huì)加速學(xué)習(xí)周期。
這不會(huì)取代傳統(tǒng)方法，至少在短期內(nèi)如此。 到目前為止，更先進(jìn)的機(jī)器學(xué)習(xí)形式并未在整個(gè)晶圓廠廣泛部署，仍還存在一些差距。 但該行業(yè)正努力解決在缺陷檢測(cè)中存在的嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。
在今天的晶圓廠中，芯片制造商使用各種檢測(cè)手段和計(jì)量系統(tǒng)來(lái)發(fā)現(xiàn)芯片中的缺陷。 檢查是發(fā)現(xiàn)缺陷的科學(xué)，而計(jì)量是測(cè)量結(jié)構(gòu)的藝術(shù)。 這兩種技術(shù)都用于定位器件中的問(wèn)題，它們有助于確保晶圓廠的產(chǎn)量。
但是，在每個(gè)節(jié)點(diǎn)處，設(shè)備和結(jié)構(gòu)變得越來(lái)越小。 在某些情況下，找到結(jié)構(gòu)遠(yuǎn)低于1埃（等于0.1納米）那種規(guī)模的缺陷要困難得多，且成本高昂
為此目的的工具確實(shí)存在，并且許多工具包含一定程度的機(jī)器學(xué)習(xí)。 到目前為止，對(duì)于更先進(jìn)的機(jī)器視覺(jué)學(xué)習(xí)形式，利用率已經(jīng)不穩(wěn)定。 但是，隨著先進(jìn)的機(jī)器視覺(jué)學(xué)習(xí)算法被開(kāi)發(fā)用于缺陷檢測(cè)，這可能會(huì)改變。 問(wèn)題在于是否有足夠的良好數(shù)據(jù)，這將使制造商和包裝公司能夠快速準(zhǔn)確地找到缺陷。 如果數(shù)據(jù)集不合適，系統(tǒng)可能會(huì)產(chǎn)生可疑或甚至不準(zhǔn)確的結(jié)果。
在任何一種情況下，機(jī)器學(xué)習(xí)中的缺陷檢測(cè)將繼續(xù)用于工廠中的部分應(yīng)用程序。 然而，隨著技術(shù)的進(jìn)步，它可能會(huì)在行業(yè)中得到更廣泛的應(yīng)用。
“機(jī)器學(xué)習(xí)是一些計(jì)量問(wèn)題的答案?！?林研究公司Coventor計(jì)算產(chǎn)品副總裁David Fried說(shuō)。 “在該解決方案適用的情況下，會(huì)出現(xiàn)越來(lái)越多的問(wèn)題。 這不是靈丹妙藥。 這不是對(duì)一切的正確的答案?！?/span>
盡管如此，該行業(yè)仍在不斷改進(jìn)該技術(shù)。 以下是這個(gè)領(lǐng)域的一些最新成果：
?Imec和Nova開(kāi)發(fā)了一種使用機(jī)器學(xué)習(xí)來(lái)預(yù)測(cè)芯片電氣性能的方法。 另外，GlobalFoundries和Nova開(kāi)發(fā)了類似的技術(shù)。
?Imec設(shè)計(jì)了一個(gè)具有深度學(xué)習(xí)的CD-SEM。
?ASML和SK海力士使用該技術(shù)提高了光學(xué)鄰近校正（OPC）精度。
?IBM和USC設(shè)計(jì)了一種神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，用于改進(jìn)缺陷檢測(cè)。
檢查/計(jì)量挑戰(zhàn)
今天的300毫米晶圓廠是使用各種設(shè)備逐步處理晶圓的自動(dòng)化工廠。 高級(jí)邏輯過(guò)程可以具有600到1,000步或更多步。 在不同階段，芯片經(jīng)歷各種計(jì)量和檢查步驟。
機(jī)器翻譯（僅供參考）：這些步驟至關(guān)重要。 忽略的缺陷會(huì)影響晶圓廠的產(chǎn)量，或者進(jìn)入現(xiàn)場(chǎng)并導(dǎo)致日后發(fā)生故障。
在28nm及以上，計(jì)量和檢查非常簡(jiǎn)單。 例如，邏輯晶體管是具有大特征的平面。 芯片制造商可以測(cè)量和檢查設(shè)備相對(duì)容易。 但對(duì)于16 / 14nm的finFET就非常困難。 隨著芯片設(shè)計(jì)遷移到10nm / 7nm及更高，則結(jié)構(gòu)更小，更難測(cè)量。 最新的DRAM和NAND設(shè)備也是如此。
finFET和存儲(chǔ)器件本質(zhì)上都是3D的。 因此，在計(jì)量學(xué)的情況下，工具不僅必須獲得2D結(jié)構(gòu)的測(cè)量，而且還必須以合算的方式在三維中獲得它們。
“你需要知道形狀是什么樣的。 然后，你需要能夠看到材料成分之類的東西，所以你知道它是整齊的。 許多缺陷都存在于各層之下，“VLSI Research首席執(zhí)行官Dan Hutcheson說(shuō)。
實(shí)際上，缺陷檢測(cè)具有挑戰(zhàn)性。 例如，所謂的潛在缺陷可能會(huì)在設(shè)備中出現(xiàn)。 這些缺陷在設(shè)備出廠時(shí)不會(huì)出現(xiàn)，但它們會(huì)在現(xiàn)場(chǎng)以某種方式激活，最終可能會(huì)進(jìn)入系統(tǒng)。 Hutcheson說(shuō)：“有時(shí)候，一個(gè)缺陷實(shí)際上是一個(gè)特定位置的致命缺陷，需要三到四個(gè)不同的事情?！?/span>
使挑戰(zhàn)更加復(fù)雜，沒(méi)有一種計(jì)量和檢測(cè)工具可以找到所有缺陷。 例如，需要十幾種計(jì)量工具來(lái)表征晶圓廠中的finFET。
理想情況下，芯片制造商需要具有更高靈敏度的工具，以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高的吞吐量。 “他們需要的是采用更大的樣本量，因此他們需要更高的工具生產(chǎn)率，”Hutcheson說(shuō)。
展望未來(lái)，計(jì)量和檢測(cè)設(shè)備供應(yīng)商將繼續(xù)改進(jìn)他們的系統(tǒng)。 同時(shí)，在并行路徑中，計(jì)量/檢測(cè)供應(yīng)商繼續(xù)使用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)開(kāi)發(fā)機(jī)器學(xué)習(xí)技術(shù)。 在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中 ，系統(tǒng)處理數(shù)據(jù)并識(shí)別模式。 它匹配某些模式并了解哪些屬性很重要。
神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)由多個(gè)神經(jīng)元和突觸組成。 神經(jīng)元可以由具有邏輯門(mén)的存儲(chǔ)器單元組成。 神經(jīng)元以菊花鏈形式連接，并與稱為突觸的鏈接相連。
神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)通過(guò)計(jì)算矩陣乘積和和來(lái)起作用。 它由三層組成 – 輸入，隱藏和輸出。
圖1：DNN主要是多次乘積累加。 來(lái)源： Mythic
在操作中，可能有一百種不同的缺陷類型。 對(duì)每種缺陷類型進(jìn)行成像，并將信息放入網(wǎng)絡(luò)中的輸入層。
然后，將每個(gè)缺陷類型移動(dòng)到其中一個(gè)隱藏層（第1層）中的單個(gè)神經(jīng)元中并分配權(quán)重。 在另一個(gè)隱藏層（第2層）中，缺陷可能被細(xì)分為不同的類，例如邊緣，突出等。 它們也被賦予權(quán)重。
在晶圓廠中，系統(tǒng)檢測(cè)到缺陷。 在每一層中，神經(jīng)元對(duì)數(shù)據(jù)作出反應(yīng)。 使用加權(quán)的連接系統(tǒng)，網(wǎng)絡(luò)中的一個(gè)神經(jīng)元在感測(cè)到匹配模式時(shí)反應(yīng)最強(qiáng)。 答案顯示在輸出層中。
機(jī)器學(xué)習(xí)被搜索引擎和社交媒體公司以及其他領(lǐng)域使用。 “深度學(xué)習(xí)很棒，因?yàn)樗鼘?shí)際上讓你有機(jī)會(huì)做更準(zhǔn)確更快的事情，” D2S首席執(zhí)行官Aki Fujimura說(shuō)。“例如，在醫(yī)學(xué)成像中，你真正正在研究哪些細(xì)胞是癌細(xì)胞。 使用深度學(xué)習(xí)引擎，他們可以將其縮小到確切哪些單元格是壞的。 這是一個(gè)醫(yī)學(xué)的例子。 但你可以想象半導(dǎo)體生產(chǎn)可以帶來(lái)的好處?！?/span>
IC行業(yè)正在使用機(jī)器學(xué)習(xí)進(jìn)行電路仿真，熱點(diǎn)檢測(cè)和定位缺陷。 “應(yīng)用程序非常龐大，”Imec的光刻工藝和模型控制組負(fù)責(zé)人Philippe Leray說(shuō)。 “你可以用它來(lái)進(jìn)行光刻，蝕刻和所有不同的步驟。 您可以將它用于機(jī)器維護(hù)。“
機(jī)器學(xué)習(xí)的一個(gè)挑戰(zhàn)通常是您必須為系統(tǒng)提供足夠的數(shù)據(jù)。 計(jì)量/檢查系統(tǒng)遵循相同的原則。 您需要為系統(tǒng)提供足夠的數(shù)據(jù)才能使其正常工作。 這可能是一項(xiàng)昂貴且困難的任務(wù)。 但是，如果您沒(méi)有提供足夠的數(shù)據(jù)，則可能會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。
“你可以做出奇妙的事情而且你可能會(huì)出錯(cuò)?！崩兹鹫f(shuō)。 “所有困難都在于訓(xùn)練你的數(shù)據(jù)集。 如果它足夠大，代表性足夠，而且沒(méi)有偏見(jiàn)，那么你就可以得到一個(gè)好的答案。 這是一個(gè)很大的挑戰(zhàn)。 只要提供一套不充分或有偏見(jiàn)的培訓(xùn)，你就可以很容易地欺騙自己?！?/span>
如果數(shù)據(jù)不充分，結(jié)果是不合需要的，可能導(dǎo)致假陰性或假陽(yáng)性。 假陰性表示芯片實(shí)際上沒(méi)有缺陷。 誤報(bào)是不正確的測(cè)試結(jié)果。
盡管如此，該技術(shù)正在成為計(jì)量和檢測(cè)的關(guān)鍵部分。 “機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)正在迅速被采用，改進(jìn)了培訓(xùn)和產(chǎn)出結(jié)果的完整性。 網(wǎng)絡(luò)經(jīng)過(guò)培訓(xùn)，可以跟蹤流程變化，過(guò)濾異常值和錯(cuò)誤分布，“計(jì)量和過(guò)程控制總監(jiān)兼應(yīng)用材料技術(shù)人員杰出成員Ofer Adan說(shuō)。 “機(jī)器學(xué)習(xí)可以使用歷史和預(yù)定義的信息來(lái)提高性能。 深度學(xué)習(xí)從圖像中提取信息和屬性具有巨大的優(yōu)勢(shì)，有時(shí)這些信息和屬性對(duì)于人類甚至標(biāo)準(zhǔn)機(jī)器方法來(lái)說(shuō)都太復(fù)雜了。 但是，沒(méi)有魔力。 如果我們知道物理模型，我們可以獲得比DL / ML更好的結(jié)果。 因此，如果我們對(duì)物理模型有所了解，我們可以使用它來(lái)幫助深度學(xué)習(xí)模型。 一種方法是在深度學(xué)習(xí)用于優(yōu)化的成本函數(shù)中使用它。 所以答案是我們應(yīng)該結(jié)合兩者?！?/span>
還有另一種方式來(lái)看待這項(xiàng)技術(shù)。 “所有地鐵/檢查供應(yīng)商都以各種方式使用它。 關(guān)鍵問(wèn)題是它是否為晶圓廠提供了任何獨(dú)特的好處？ 需要注意的重要事項(xiàng)是，機(jī)器學(xué)習(xí)只是另一種支持技術(shù)，需要產(chǎn)品集成和深層次的定制才能對(duì)工廠有用，“Nanometrics產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān)Kartik Venkataraman說(shuō)。 “更常見(jiàn)的是供應(yīng)商使用機(jī)器學(xué)習(xí)方法從他們的工具中提取最大信息，這就是信號(hào)數(shù)量和質(zhì)量仍然至關(guān)重要的原因。 機(jī)器學(xué)習(xí)只能與它所輸送的原始信號(hào)一樣有用。“
機(jī)器學(xué)習(xí)在哪里使用？
今天，機(jī)器學(xué)習(xí)被一些但并非所有芯片制造商使用。 有些人在流程的各個(gè)步驟中使用它。 這取決于公司。
在工廠中，一些計(jì)量和檢測(cè)系統(tǒng)使用機(jī)器學(xué)習(xí)來(lái)幫助發(fā)現(xiàn)缺陷。 據(jù)推測(cè)，機(jī)器學(xué)習(xí)使過(guò)程自動(dòng)化，但并不總是這樣。 有時(shí)，系統(tǒng)需要操作員手動(dòng)干預(yù)以拉取和檢查數(shù)據(jù)。
但更大的問(wèn)題是來(lái)自一個(gè)供應(yīng)商的工具包含專有軟件，并且無(wú)法與其他公司的系統(tǒng)進(jìn)行通信。 專家們表示，有些人正致力于整合他們的系統(tǒng)，以創(chuàng)建端到端的反饋流程，但該技術(shù)仍處于研發(fā)階段。
最終，芯片制造商希望使用來(lái)自不同供應(yīng)商的工具提供端到端的智能反饋解決方案。 有些人正在開(kāi)發(fā)這項(xiàng)技術(shù)，盡管這需要投資和資源。
此外，業(yè)界還希望工具具有更先進(jìn)的機(jī)器學(xué)習(xí)功能，特別是在晶圓檢測(cè)方面?！半S著工具變得越來(lái)越強(qiáng)大，機(jī)器學(xué)習(xí)將變得越來(lái)越重要，” KLA的技術(shù)支持工程師Mark Smith說(shuō)。
晶圓檢測(cè)涉及兩種主要的工具技術(shù) – 電子束和光學(xué)。 今天，光學(xué)檢測(cè)是晶圓廠的主力工具。 電子束檢測(cè)用于研發(fā)和工廠的某些部分。 電子束檢測(cè)具有比光學(xué)更好的分辨率，但速度較慢。
在一個(gè)簡(jiǎn)單的例子中，檢查系統(tǒng)檢查晶片，并將數(shù)據(jù)與模具或數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行比較。 然后，使用神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，它使用模式識(shí)別技術(shù)發(fā)現(xiàn)缺陷并自動(dòng)對(duì)它們進(jìn)行分類。
自20世紀(jì)90年代以來(lái)，這種技術(shù)基于傳統(tǒng)方法。 公司繼續(xù)開(kāi)發(fā)傳統(tǒng)技術(shù)，盡管他們也在研究更先進(jìn)的機(jī)器學(xué)習(xí)形式。
“KLA的許多核心檢測(cè)技術(shù)都是基于傳統(tǒng)的圖像處理技術(shù)，但我們也在進(jìn)行機(jī)器學(xué)習(xí)，”KLA的史密斯說(shuō)。 “機(jī)器學(xué)習(xí)產(chǎn)生巨大影響的幾個(gè)領(lǐng)域是圖像分類和評(píng)審抽樣?！?/span>
使所有這些工作都有一些挑戰(zhàn)。 “深度學(xué)習(xí)，最先進(jìn)的算法，現(xiàn)在成為頭條新聞。 他們依靠非常大的數(shù)據(jù)集來(lái)校準(zhǔn)和訓(xùn)練模型，“史密斯說(shuō)。 “在尋找新的感興趣缺陷（DOI）時(shí)，這并不總是可行的，因此我們采用混合方法。 如果您添加有關(guān)檢查工具如何工作和設(shè)備信息的更多信息，那么在一些不那么新的方法中仍然存在很多動(dòng)力。 例如，我們通常將設(shè)計(jì)布局信息用作算法的一部分?！?/span>
其他人也在研究這項(xiàng)技術(shù)。 例如，在最近的一篇論文中，ASML和SK海力士描述了一種提高光掩模中OPC精度的方法。 這是使用電子束工具和深度學(xué)習(xí)完成的。
OPC使用微小形狀或子分辨率輔助功能（SRAF）。 SRAF放置在掩模上，掩模修改掩模圖案以改善晶片上的可印刷性。
在每個(gè)節(jié)點(diǎn)，OPC運(yùn)行時(shí)間和成本都在增加。 “通過(guò)添加大量CD和邊緣放置量規(guī)，我們將模型誤差減少了大約三分之一。 通過(guò)進(jìn)一步將模型形式從傳統(tǒng)模型轉(zhuǎn)變?yōu)樯疃葘W(xué)習(xí)模型，我們可以獲得18％的準(zhǔn)確度增長(zhǎng)，“ASML高級(jí)副總裁Yu Cao說(shuō)。
然后，在另一個(gè)例子中，IBM和南加州大學(xué)（USC）最近提交了一篇關(guān)于機(jī)器學(xué)習(xí)的電子束檢查的論文。 傳統(tǒng)上，晶片檢測(cè)使用芯片到芯片或芯片到數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行。 但是，通過(guò)機(jī)器學(xué)習(xí)，IBM和USC通過(guò)訓(xùn)練有素的模型傳遞圖像。 這反過(guò)來(lái)將在沒(méi)有設(shè)計(jì)或黃金圖像的幫助下進(jìn)行分類。 根據(jù)IBM研究人員Ravi Bonam的說(shuō)法，訓(xùn)練有素的模型將成為推理引擎。 有了這個(gè)，研究人員獲得了96.96％的準(zhǔn)確率和96.87％的靈敏度。
除了檢查，機(jī)器學(xué)習(xí)也用于計(jì)量學(xué)。 “它在計(jì)量和檢測(cè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用和快速采用，包括CD SEM，OCD甚至光學(xué)原位測(cè)量，如光學(xué)發(fā)射光譜或反射測(cè)量，”Applied的Adan說(shuō)。 “當(dāng)你有大量關(guān)于感興趣的測(cè)量信息但沒(méi)有直接測(cè)量的信息時(shí)，可以使用它。 機(jī)器學(xué)習(xí)允許您找到感興趣的度量與可能影響此類度量的各種參數(shù)之間的相關(guān)性。 它還可用于預(yù)測(cè)工具性能，正常運(yùn)行時(shí)間和其他功能?！?/span>
計(jì)量本身具有挑戰(zhàn)性。 例如，平面晶體管需要五到六次測(cè)量。 但是，在finFET中，它需要12個(gè)或更多不同的CD測(cè)量值，例如柵極高度，fin高度，fin寬度和側(cè)壁角度。
為了處理測(cè)量，芯片制造商需要幾種計(jì)量工具類型，例如臨界尺寸掃描電子顯微鏡（CD-SEM），光學(xué)CD（OCD）等。
CD-SEM是工廠中的主力計(jì)量工具，它采用自上而下的結(jié)構(gòu)尺寸測(cè)量。
在最近的一篇論文中，Imec描述了一種帶機(jī)器學(xué)習(xí)的CD-SEM。 實(shí)際上，該技術(shù)可以對(duì)CD-SEM“去噪”。 在該工具中，Imec在神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中添加了另一層，稱為生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)（GAN）。 通過(guò)經(jīng)過(guò)訓(xùn)練的GAN傳遞嘈雜的SEM圖像，研究人員獲得了無(wú)噪聲的模型圖像。
同時(shí)，一種稱為散射儀的OCD類型可以測(cè)量finFET中的CD，輪廓和膜厚度。 強(qiáng)迫癥很快，但也有一些缺點(diǎn)。 OCD是一種基于模型的技術(shù)。 在許多情況下，這些工具不會(huì)測(cè)量實(shí)際設(shè)備。 相反，它們可以測(cè)量代理或簡(jiǎn)單的平面結(jié)構(gòu)，它們表示和行為類似于實(shí)際設(shè)備。 應(yīng)該將這些結(jié)構(gòu)與實(shí)際裝置之間的測(cè)量值相關(guān)聯(lián)。
然而，OCD建模也需要很長(zhǎng)時(shí)間。 然后，在另一種方法中，OCD社區(qū)開(kāi)發(fā)了一種無(wú)模型技術(shù)，這是一種機(jī)器學(xué)習(xí)形式。 它不會(huì)取代傳統(tǒng)的強(qiáng)迫癥。 相反，它是一種利用強(qiáng)迫癥的補(bǔ)充技術(shù)。
“有一段時(shí)間，我們已經(jīng)將詳細(xì)的OCD模型用于設(shè)備結(jié)構(gòu)和目標(biāo)，以及我們的光學(xué)系統(tǒng)。 但是有些地方我們的未建模組件存在差距; 這是機(jī)器學(xué)習(xí)產(chǎn)生重大影響的地方。 機(jī)器學(xué)習(xí)改進(jìn)了計(jì)量工具車隊(duì)的匹配和精度。 通過(guò)適當(dāng)?shù)膮⒖紲y(cè)量，機(jī)器學(xué)習(xí)還可以改善結(jié)果的時(shí)間，“KLA模式部門(mén)高級(jí)算法主管Stilian Pandev說(shuō)。
這可以是獨(dú)立的計(jì)算系統(tǒng)。 從OCD測(cè)量中收集數(shù)據(jù)并將其輸入計(jì)算機(jī)，計(jì)算機(jī)對(duì)數(shù)字進(jìn)行處理并產(chǎn)生結(jié)果。
在一個(gè)例子中，Imec和Nova最近提出了一篇關(guān)于使用OCD光譜和機(jī)器學(xué)習(xí)預(yù)測(cè)芯片電性能的論文。 “OCD技術(shù)基于嚴(yán)格的耦合波分析（RCWA），它被指定用于周期性結(jié)構(gòu)。 將這種技術(shù)應(yīng)用于非周期性結(jié)構(gòu)（例如電氣結(jié)構(gòu)）是一項(xiàng)挑戰(zhàn)，“Imec的研發(fā)工程師Sayantan Das說(shuō)。
“機(jī)器學(xué)習(xí)算法可以克服這些挑戰(zhàn)，并成為一種補(bǔ)充方法，”達(dá)斯說(shuō)。 “我們與Nova的合作表明，使用OCD光譜的機(jī)器學(xué)習(xí)可以預(yù)測(cè)具有高R2值的電氣性能。 這使得能夠與參考CD良好地相關(guān)。 它證明了與基于衍射的覆蓋層和基于SEM的覆蓋層的良好相關(guān)性。 與OCD模型相比，它改善了測(cè)量和預(yù)測(cè)電阻與電容之間的相關(guān)性?！?/span>
同時(shí)，在另一個(gè)例子中，GlobalFoundries和Nova最近使用機(jī)器學(xué)習(xí)來(lái)預(yù)測(cè)芯片中銅互連的電阻。這些公司使用從OCD測(cè)量和電氣測(cè)試站點(diǎn)收集的光譜。 “對(duì)于各種產(chǎn)品的多種金屬，與OCD結(jié)果相比，改善了實(shí)際電子測(cè)試值與預(yù)測(cè)電阻相關(guān)性。在FEOL部門(mén)，我們已經(jīng)展示了使用機(jī)器學(xué)習(xí)從在線測(cè)量中預(yù)測(cè)Fin CD值的初步可行性，“GlobalFoundries的計(jì)量工程師Padraig Timoney在一篇論文中說(shuō)。來(lái)自GlobalFoundries和Nova的其他人也參與了這項(xiàng)工作。
這些結(jié)果令人印象深刻，至少在研發(fā)方面如此。 但這些結(jié)果對(duì)于晶圓廠來(lái)說(shuō)是否足夠好或快速？
和以前一樣，缺陷檢測(cè)的機(jī)器學(xué)習(xí)將繼續(xù)用于某些但不是所有應(yīng)用程序。 “你真的必須理解并考慮你正在為這些系統(tǒng)提供的數(shù)據(jù)質(zhì)量，”Coventor’s Fried說(shuō)。“這些系統(tǒng)的質(zhì)量，密度和數(shù)量將決定其適用性?！?/span>
顯然，機(jī)器學(xué)習(xí)并不再是新鮮事物。 該技術(shù)已存在很長(zhǎng)時(shí)間了。 但在很多方面，它只是被運(yùn)用到表層的部分。